Mitsubishi Electric ha completato una nuova struttura per la produzione di semiconduttori di potenza presso il proprio stabilimento di Shisui, ubicato a Kikuchi (Prefettura di Kumamoto). L’impianto, composto da sei piani e con una superficie totale di 42.000 mq, è costato circa 100 miliardi di Yen (circa 680 milioni di USD). L’avvio delle operazioni è previsto per novembre, mentre l’inizio della produzione su larga scala è pianificato per il 2027.La struttura produrrà semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC), sempre più richiesti per veicoli elettrici (EV) e elettrodomestici, grazie alla loro maggiore efficienza energetica rispetto ai chip al silicio tradizionali.Tuttavia, a causa di una crescita della domanda nel mercato EV più lenta del previsto, l’azienda ha posticipato parte del piano di potenziamento delle attrezzature all’anno fiscale 2031 e oltre. L’impianto si occuperà della fase di incisione dei circuiti sui wafer (dischi di silicio), un processo chiave nella produzione di semiconduttori. (ICE TOKYO)

Fonte notizia: Japan Times